セッション詳細
[21a-P02-1~10]6.1 強誘電体薄膜
2023年9月21日(木) 9:30 〜 11:30
P02 (熊本城ホール)
[21a-P02-1]ミストCVD法Hf0.5Zr0.5O2強誘電体薄膜の電気的特性の改善
〇田中 将1、西中 浩之1、吉本 昌弘1、野田 実1 (1.京工繊大)
[21a-P02-2]デジタル処理DCスパッタによるHf0.5Zr0.5O2強誘電体薄膜の非加熱成長
〇山下 大貴1、藤谷 諭史1、高村 宏樹1、一色 秀夫1 (1.電通大)
[21a-P02-3]Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO3 Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate
〇AMELIE LAURE PETITJEAN1,2, SENGSAVANG APHAYVONG1, KOHEI TAKAKI1, NORIFUMI FUJIMURA1, TAKESHI YOSHIMURA1 (1.Osaka Metro. Univ., 2.ENSMAC FRANCE)
[21a-P02-4]グラフェン/BiFeO3ヘテロ構造形成プロセスの検討
〇(M1)高木 諒真1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1 (1.兵県大院工)
[21a-P02-5]Si基板上エピタキシャル(K,Na)NbO3系薄膜の圧電特性
〇田中 清高1、小川 零1、何 京瑋1、權 相暁1、譚 ゴオン2、神野 伊策1 (1.神戸大工、2.大阪公大)
[21a-P02-6]シャドウマスク法にて作製したNb/KNaNbO3/Nb三層構造の電気的特性
〇中島 渉1、田中 駿1、篁 耕司1、平 智幸1 (1.旭川高専)
[21a-P02-7]PVDF-VEHを用いたバッテリーレス故障診断デバイス
〇(M2)佐藤 智浩1、中嶋 宇史1 (1.東理大応物)
[21a-P02-8]フレキシブル圧電センサを用いた歩行者位置センシング
〇(M2)高橋 夏音1、中嶋 宇史1 (1.東理大応物)
[21a-P02-9]ペロブスカイト型圧電結晶膜の水熱エピタキシャル合成と超音波センサへの応用に向けた検討
〇吉田 馨1、湊 丈俊3、三嶋 竜弥4、黒澤 実5、船窪 浩5、池上 和志1、石河 睦生2 (1.桐蔭横浜大院工、2.桐蔭横浜大医用工、3.分子科学研、4.杏林大、5.東京工業大)
[21a-P02-10]ペロブスカイト型圧電単結晶膜を用いた超小型センサの開発とその応用
〇水沼 拓也1、入山 瑞希2、湊 丈俊3、黒澤 実4、船窪 浩4、池上 和志1、石河 睦生2 (1.桐蔭横浜大院工、2.桐蔭横浜大医用工、3.分子科学研、4.東京工業大)