[21a-P03-1~16] 6.4 薄膜新材料

[21a-P03-10] 電気二重層デバイス構造を用いたCo₃Sn₂S₂薄膜の伝導チャネル厚み制御

〇藤原 宏平¹、池田 絢哉¹、伊藤 俊¹、塚﨑 敦^1,2 (1.東北大金研、2.東北大CSIS)

キーワード：

電気二重層デバイス,ワイル半金属