[21a-P03-1~16] 6.4 薄膜新材料

[21a-P03-11] 真空蒸着法によるｐ型透明半導体CuI薄膜の作製と特性向上

〇猪俣 崇¹、木本 学²、藤田 圭祐³、長尾 朋和³ (1.稀産金属、2.テクノアソシエ、3.NBCメッシュテック)

キーワード：

p型透明半導体,CuI薄膜,真空蒸着

近年、脱炭素社会に向けた動きが活発になっており、熱や光をエネルギーに変換するデバイスへの関心が高まっている。それらは、設置環境に自由度があるフィルム形状であることが望ましい。本研究では、フィルムに対しても良好なｐ型透明半導体膜となるCuIに着目し、この薄膜の特性を向上できる蒸着材料を開発した。開発した蒸着材料で作製したCuI薄膜は、通常のCuI蒸着膜と比較して透過率、導電性ともに高い値を示した。