講演情報
[21a-P03-8]MnドープITOエピタキシャル成長膜の物性に対する結晶方位依存性
〇北川 彩貴1,2,3、中村 敏浩1,3 (1.京大院人環、2.学振特別研究員、3.京大国際高等教育院)
キーワード：
希薄磁性半導体,透明導電膜,エピタキシャル成長
近年, 希薄磁性半導体が次世代デバイスの開発に向けて注目されている. 我々はその一種であるMnドープ酸化インジウムスズ(ITO)薄膜に着目して研究を進めている. MnドープITO薄膜は導電性, 透明性, 強磁性を併せもつことから透明スピントロニクス材料としての応用が期待される. 本研究では, 面方位の異なる単結晶基板上にMnドープエピタキシャル成長膜を作製し, その面方位が電気・磁気特性に与える影響を調べた.