[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-1] ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析

〇(M2)松田 隼¹、秋山 亨¹、畠山 哲夫²、白石 賢二³、中山 隆史⁴ (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.名大未来研、4.千葉大理)

キーワード：

SiC,第一原理計算