講演情報
[21a-P06-10]AlGaN供給層の窒素キャリアガスMOVPE成長における成長温度依存性
〇山田 敦史1、多木 俊裕1、中村 哲一1 (1.富士通)
キーワード：
高電子移動度トランジスタ,窒化物半導体,有機金属気相成長
窒素キャリアガスでのMOVPE成長におけるAlGaN供給層の成長温度依存性について詳細な調査を行ったため報告する。AlGaN供給層は窒素キャリアガスを用いて750°C から960°C の異なる成長温度で成長した。AlGaN供給層の転位欠陥数は成長温度が855℃未満になると成長温度の低下にともなって増加する。また，転位欠陥数の増加にともなってAlGaN 供給層の歪みが低減することがわかった。これにより，Al 組成0.40以上のAlGaN 供給層における歪みを低減することが可能となり，AlGaN/GaN HEMT 構造においてさらなる高出力化が期待できる。