[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-11] 単結晶AlN基板上高AlN比Al_0.7Ga_0.3NチャネルHFETの作製（Ⅱ）

〇米谷 宜展¹、川出 智之¹、田中 さくら¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大工)

キーワード：

HFET,AlGaNチャネル,単結晶AlN基板