[21a-P06-1~17] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-P06-14] 窒化物半導体デバイス応用に向けたTetraethoxysilaneを用いたプラズマ化学気相堆積法によるSiO2膜の基礎的評価

〇鹿田 颯吾¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

窒化物半導体,TEOS

有機シリコン材料であるTetraethoxysilane (TEOS)を用いたプラズマ化学気相堆積(CVD)法によるシリコン系絶縁膜の成膜は、装置などの取り扱いが比較的容易であり、高速な成膜が可能である。電子デバイスのパッシベーション膜や層間絶縁膜などへの応用や、窒化物半導体を含むパワーデバイス応用も期待される。実際に電子デバイス応用を行うためには、絶縁膜質や絶縁膜/半導体界面の特性を把握する必要がある。本研究ではTEOSを用いたプラズマCVDによるSiO₂膜の光学的・電気的特性を評価した。