講演情報
[21a-P06-16]電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価
〇(M1)吉村 遥翔1、今林 弘毅1、堀切 文正2、成田 好伸2、藤倉 序章2、太田 博3、三島 友義3、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.住友化学、3.法政大)
キーワード：
ショットキー電極,界面顕微光応答法,GaN
薄い高濃度 Mg ドープ p-GaN 層を n-GaN ドリフト層上に形成したショットキー電極の二次元評価を界面顕微光応答法により行った. 印加電圧0 Vで電極周辺部に光電流の増加がみられ、 -1 V以下の電圧印加によりこの増加が大きく抑えられた. 電極周辺部の特異な電流輸送機構を可視化することができた.