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[21a-P06-4]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価

〇新藤源大¹、畠山優希¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

窒化ガリウム