[21a-P07-1~2] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-P07-1] 液相シリコンとメタンガスによるSiC薄膜単結晶成長

〇(M1)堀内 大生¹、内田 龍之介¹、太子 敏則¹ (1.信州大工)

キーワード：

SiC,単結晶,結晶成長

我々はTSSG法を発端とし液相Siを用いた多結晶SiCコーティング方法を提案した。この方法はSiC溶液成長中に溶媒のSiが蒸発し、炉内に残留する炭素成分と反応することで炉内内壁に副生成物としてSiC微結晶が生成される現象を多結晶コーティングに応用したものである。この方法にてSiCセラミックス上に多結晶膜の成長を実現した。本研究では基板を多結晶から単結晶に変更し、液相Siとメタンガスを用いたSiC単結晶成長について検討した。