講演情報
[21p-A307-11]二次元MoO3/三次元WO3エピタキシャル積層膜の作製とLi挿入挙動
〇(M1)細川 紳1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
キーワード：
エピタキシャル薄膜,Li挿入挙動,電気化学
VI族酸化物であるWO3とMoO3は，結晶構造中の間隙にLiイオンを収容することで電子がドープされ，絶縁体から金属に転移する．本研究では，互いに異なる(あるいは似通った)結晶構造や還元電位がどのようなLi挿入挙動の違いに現れるか調査するために，MoO3/WO3エピタキシャル積層膜を作製し，その場X線回折測定を行った．