講演情報
[21p-A307-22]新規液体原料（Sn(EtCp)2）による酸化スズ薄膜の原子層堆積
〇水谷 文一1、水井 誠1、高橋 伸尚1、生田目 俊秀2 (1.高純度化学研、2.物材機構)
キーワード：
原子層堆積,酸化スズ,新規前駆体
反応剤の選択によって、SnO2薄膜とSnO薄膜の作り分けが期待できるALD用原料として、II価のスズ錯体であるSn(EtCp)2を合成し、ALDに使用できることを確認した。II価の原料を用いたALDでは、酸化剤として、水またはO2プラズマを用いることで、SnOとSnO2が作り分けられることが期待できる。ここでは、O2プラズマを用いたSnO2のALDについて検討した結果を報告する。