[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:00 〜 16:15

[21p-B101-10] その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長
－GaInNの成長温度依存性－

〇(M2)竹内 丈¹、佐々木 拓生²、大熊 豪¹、横山 晴香¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹、名西 憓之³ (1.工学院大学、2.量研、3.立命館大学)

キーワード：

RF-MBE,GaInN,XRD-RSM