講演情報
[21p-B101-15]RF-MBE法を用いた低温AlN成長のAl/N比依存性
〇河上 結馬1、荒木 努1、出浦 桃子2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
キーワード：
分子線エピタキシー,窒化アルミニウム
AlNはAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）のパッシベーション膜材料として期待される。しかし、電極に用いられるAlの融点が低いため、パッシベーションを低温で行う必要があり、従来用いられているCVDやALDなどによる製膜では単結晶を得るのが困難である。そこで我々は、RF-MBE法を用いて高品質AlN結晶を低温で成長することを目的とし、結晶性および表面モフォロジーのAl/N比依存性を調べた。