[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:00

[21p-B101-2] スパッタ法によるGe添加AlGaN薄膜の成長と評価

〇内藤 愛子¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

ドーピング,窒化アルミニウムガリウム,スパッタリング