[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15

[21p-B101-3] スパッタ法により形成したn型縮退GaNトンネル接合コンタクトLEDの低電圧動作

〇Hwang Jeongeui¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

GaN,スパッタリング,LED

本発表では、市販のLEDウェハー上にスパッタ法を用いてd-GaNを積層し、低電圧動作のTJ-LEDの実現を目指したので、その実験結果について報告する。