[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:15 〜 14:30

[21p-B101-4] MOCVD法とスパッタ法で再成長したn⁺-GaNを用いたN極性GaN HEMTのオーミックコンタクトの比較

〇平崎 貴英¹、早坂 明泰¹、岡田 政也¹、眞壁 勇夫¹、辻 幸洋¹、牧山 剛三¹、中田 健¹ (1.住友電工)

キーワード：

窒化物半導体,高移動度トランジスタ,N極性