[21p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:30 〜 14:45

[21p-B101-5] ECRスパッタ法を使用したGaN薄膜の成膜に関する研究

〇鳥居 博典^1,2、田中 こずえ¹、松井 伸介² (1.JSWアフティ、2.千葉工業大学)

キーワード：

GaN,スパッタ,ECR