講演情報

15:00 〜 15:15

[21p-B101-6]ScAlMgO₄基板上InGaNのRF-MBE成長におけるIn組成制御

〇出浦桃子¹、久保祐太²、山田泰弘²、藤井高志²、荒木努² (1.立命館大R-GIRO、2.立命館大院理工)

InGaN,SAM基板,RF-MBE

近年SAM基板がInGaN成長用の基板として注目されており，我々はRF-MBEによりInGaN直接成長に成功している．SAM基板上に格子整合した高品質InGaNの成長を目指し，今回はIn組成制御について検討した．