2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21p-B201-1~16]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月21日(木) 13:30 〜 17:45
B201 (市民会館)
佐藤 威友(北大)
13:30 〜 13:45

[21p-B201-1][講演奨励賞受賞記念講演] 無極性面の適用によるSiC p チャネルMOSFET の移動度向上

〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[21p-B201-2]4H-SiCの衝突イオン化係数の理論解析

〇田中 一1、木本 恒暢2、森 伸也1 (1.阪大院工、2.京大院工)
14:00 〜 14:15

[21p-B201-3]レーザードーピングによるn型4H-SiCの低コンタクト層形成

〇宇佐見 康継1、妹川 要1、納富 良一1、柿崎 弘司1、保原 麗2、長谷川 修司2 (1.ギガフォトン（株）、2.東大院 物理学専攻)
14:15 〜 14:30

[21p-B201-4]顕微ラマン分光法とFEM解析によるSiC-SBDにおけるSiC/SiO2界面熱応力解析に関する研究

〇清住 竜也1、須田 潤1 (1.中京大工)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[21p-B201-5]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を基盤としたSU-8/SiCの界面熱抵抗測定技術を開発

〇Yu Jiawen1、後藤 隆之介1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広島大先進理工)
14:45 〜 15:00

[21p-B201-6]3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面のSNDM評価

〇長 康雄1、長澤 弘幸2、櫻庭 政夫3、佐藤 茂雄3 (1.東北大未来科学、2.㈱CUSIC、3.東北大通研)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[21p-B201-7]SiO2/SiC(0-33-8) 構造の NO 窒化過程の観察と電気特性評価

〇岩本 隼登1、中沼 貴澄1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、小林 拓真1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
15:15 〜 15:30

[21p-B201-8]SiC MOSFETのヒステリシスとゲート酸化膜を通過する正孔の電荷量の関係

〇野口 宗隆1、小山 皓洋1、岩松 俊明1、渡邊 寛1、西川 和康1 (1.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)
15:30 〜 15:45

[21p-B201-9]シリコン空孔量子センサによる同時共鳴法を用いた磁場・温度同時計測の時分割による高速化

〇田中 友晃1、山崎 雄一1、久本 大2、大島 武1 (1.量研、2.日立研開)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[21p-B201-10]IGBT高熱負荷工程におけるSiウェハ内転位挙動の数値解析

〇袁 九洋1、宮村 佳児2、中野 智2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[21p-B201-11]シリコンIGBT酸化プロセスにおけるトレンチ構造の応力に関する研究

〇蔡 博舟1、袁 九洋1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
16:30 〜 16:45

[21p-B201-12]超低濃度Siイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性

〇井口 紘子1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
16:45 〜 17:00

[21p-B201-13]界面処理によるHVPE/MOVPEハイブリッド成長GaN p-nダイオードの高耐圧化

〇太田 博1、藤倉 序章2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大学、2.住友化学)
17:00 〜 17:15

[21p-B201-14]Mg/N 共注入および超高圧アニールを用いて作製した GaN p-n 接合ダイオード

〇北川 和輝1、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[21p-B201-15]ドリフト層幅の異なるGaN pn接合ダイオードを用いた伝導度変調の解析

〇宇佐美 茂佳1、太田 博2、渡邉 浩崇3、今西 正幸1、新田 州吾3、本田 善央3、三島 友義2、天野 浩3、森 勇介1 (1.阪大院工、2.法政大学、3.名大未来研)
17:30 〜 17:45

[21p-B201-16]マイクロ波帯Hi-Lo 型GaN IMPATT ダイオードにおけるLo 層ドナー濃度が入出力特性に与える影響

〇川崎 晟也1、隈部 岳瑠1、出来 真斗2,1、渡邉 浩崇3、田中 敦之3、本田 善央3、新井 学3、天野 浩3 (1.名大院工、2.名大Dセンター、3.名大未来研)
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