[21p-B201-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[21p-B201-10] IGBT高熱負荷工程におけるSiウェハ内転位挙動の数値解析

〇袁 九洋¹、宮村 佳児²、中野 智²、齋藤 渉²、西澤 伸一² (1.九大総理工、2.九大応力研)

キーワード：

Siウェハ,IGBT作製プロセス,転位密度

高性能・低コストのパワーデバイスを作製には、酸化や拡散などの高温熱処理プロセスがあり、ウェハ内部に応力による転位が増殖し、パワーデバイスの性能を劣化させる可能性がある。転位増殖は、大口径ウェハでより顕著になるため、熱処理中の転位増殖をより抑制することが重要である。
本研究では、IGBT作製における7工程の熱処理を連続的に行った場合のウェハ内転位密度変化、及び、拡散プロセスにおける転位増殖の温度依存性を解析し、プロセスの低温化が転位増殖に与える影響を定量的に評価した。