講演情報
[21p-B201-11]シリコンIGBT酸化プロセスにおけるトレンチ構造の応力に関する研究
〇蔡 博舟1、袁 九洋1、宮村 佳児2、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総理工、2.九大応力研)
キーワード：
シリコンIGBT酸化プロセス,シリコンウェーハのトレンチ構造,スケーリング
本研究では、トレンチ構造を持つシリコンチップの3次元モデルを作成し、トレンチ部、スクライブライン、ウェーハ裏面における熱プロセスによって生じる応力分布を解析した。計算結果は、ラマン分光法による測定結果とよく一致した。トレンチ部における応力は高いことが確認された。応力は酸化膜の厚さに依存し、サイズのスケーリングにより応力が減少する可能性がある。