これまでにn型エピタキシャル成長層に対してその実効ドナー密度の1/10以下の超低濃度でSiをイオン注入し、アニールを行った試料の電子トラップ評価を行ってきた。今回は、超低濃度でSiイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧曲線のヒステリシスについて詳細に評価した結果を報告する。