講演情報
[21p-B201-13]界面処理によるHVPE/MOVPEハイブリッド成長GaN p-nダイオードの高耐圧化
〇太田 博1、藤倉 序章2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大学、2.住友化学)
キーワード：
GaN p-nダイオード,ハイブリッド成長法,CF4 ICPエッチング
GaN基板上にハイドライド気相成長法(HVPE)法でn-GaN層を成長した後、有機金属化学気相エピタキシー(MOVPE)法でp-GaN層の成長をおこなうハイブリッド成長法で、p-GaN層成長前にCF4を用いたICPエッチング処理を行うことで、GaN p-nダイオード(PND)において6kVを超える高耐圧化を実現した。同時にICPエッチング処理を行わないPNDに比べ順方向特性も改善された。