[21p-B201-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:00 〜 17:15

[21p-B201-14] Mg/N 共注入および超高圧アニールを用いて作製した GaN p-n 接合ダイオード

〇北川 和輝¹、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム,p-n 接合ダイオード,超高圧アニール