[21p-B201-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[21p-B201-2] 4H-SiCの衝突イオン化係数の理論解析

〇田中 一¹、木本 恒暢²、森 伸也¹ (1.阪大院工、2.京大院工)

キーワード：

炭化ケイ素,衝突イオン化,高電界輸送