講演情報
[21p-B201-3]レーザードーピングによるn型4H-SiCの低コンタクト層形成
〇宇佐見 康継1、妹川 要1、納富 良一1、柿崎 弘司1、保原 麗2、長谷川 修司2 (1.ギガフォトン（株）、2.東大院 物理学専攻)
キーワード：
SiC,レーザドーピング,低コンタクト抵抗
レーザードーピングにより表面濃度 2×1021 atoms/cm3 の固溶限界を超えた高濃度層窒素を形成した。形成層をマイクロ４端子プローブ装置によりシート抵抗を測定、同様にCTLM (Circular Transmission Line Measurement)によりシート抵抗及びコンタクト抵抗を測定した。結果、ρc≒3.2×10-8 Ω㎠と非常に低いコンタクト面を形成することができた。