[21p-B201-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[21p-B201-5] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を基盤としたSU-8/SiCの界面熱抵抗測定技術を開発

〇Yu Jiawen¹、後藤 隆之介¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広島大先進理工)

キーワード：

半導体,SiCパワーデバイス,界面熱抵抗

界面熱抵抗は、SiCパワーデバイスモジュールの熱設計において非常に重要な役割を果たす。しかし、熱界面材料とSiCの間の界面熱抵抗を実験的に測定することは、効率的な測定方法がないため、まだ困難です。光干渉式非接触温度計（OICT）は、ウェーハ内部の過渡的な温度を高い空間・時間分解能で測定することができます。この方法に基づいて、SU-8／SiC界面における界面熱抵抗を測定しました。