講演情報
[21p-B201-6]3C-SiC/4H-SiC積層構造MOS界面のSNDM評価
〇長 康雄1、長澤 弘幸2、櫻庭 政夫3、佐藤 茂雄3 (1.東北大未来科学、2.㈱CUSIC、3.東北大通研)
キーワード：
3C-SiC/4H-SiC積層構造MOSFET,走査型非線形誘電率顕微鏡,界面準位密度
MOS界面準位密度が小さいがバンドギャップが狭い3C-SiCとその逆の4H-SiCの特性を有効に利用して高電圧動作時の特性on抵抗を下げる事の出来る3C-SiC(111)/4H-SiC(0001)積層構造のMOSFET(CHESS-MOS®)が報告されている．今回走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いてSiO2 on 3C-SiC(111)/4H-SiC(0001) MOS構造の界面状態の評価を行ったので報告する．