[21p-B201-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:15 〜 15:30

[21p-B201-8] SiC MOSFETのヒステリシスとゲート酸化膜を通過する正孔の電荷量の関係

〇野口 宗隆¹、小山 皓洋¹、岩松 俊明¹、渡邊 寛¹、西川 和康¹ (1.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)

キーワード：

SiC,ヒステリシス,正孔