講演情報
[21p-B203-1]全ウエットプロセスによるSi原子層シートの創製に関する研究
―ウエットエッチングによるSOI層表面の構造制御―
〇(M1)橋本 龍人1、竹内 鉄朗1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
キーワード：
シリコンナノシート,ウェットエッチング,SOI表面
原子層厚さを持つ二次元シリコン（Si）薄膜は、次世代半導体材料として期待されている。我々は、SOI(Silicon on Insulator)基板表面に複数のウエットプロセスを施す独自の手法を開発し、Si原子層シートの創製を目指している。本手法の鍵は、SOI表面の精密な構造制御である。我々は、SOI層表面のウエットプロセス特性を調べ、実験条件の最適化を試みており、その結果を報告する。