セッション詳細
[21p-B203-1~7]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:15
B203 (市民会館)
蓮沼 隆(筑波大)
[21p-B203-1]全ウエットプロセスによるSi原子層シートの創製に関する研究
―ウエットエッチングによるSOI層表面の構造制御―
〇(M1)橋本 龍人1、竹内 鉄朗1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[21p-B203-2]ナノカーボンの触媒作用を援用したGe表面の選択エッチング
～エッチング液に添加した酸化剤がエッチング特性に与える影響～
〇(M1)山本 聖也1、李 君寰1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[21p-B203-3]Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator for low-voltage operation of floating-gate nonvolatile memory
〇(DC)EUNKI HONG1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Inst. of Technology)
[21p-B203-4]Improved bottom cell current in perovskite/silicon tandem solar cells by double-sided nanopyramid Si texture
〇(D)Yuqing Li1, Hitoshi Sai2, Calum McDonald2, Zhihao Xu2, Yasuyoshi Kurokawa1, Noritaka Usami1, Takuya Matsui2 (1.Nagoya Univ., 2.AIST)
[21p-B203-5]表面/界面がMoS2の電子移動度に与える影響の原子論的解析に向けた輸送計算フレームワークの構築
〇田中 貴久1 (1.慶大理工)
[21p-B203-6]ナノシートトランジスタに向けたキャリア輸送モデリング
〇福田 浩一1、服部 淳一1 (1.産総研)
[21p-B203-7]半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の数値解析
〇岡田 丈1、田中 一1、森 伸也1 (1.大阪大学)