講演情報
[21p-C402-14]時間分解SNDMによるAl2O3/ダイヤモンドの局所MOS容量-電圧特性測定
〇山末 耕平1、尾形 結友1、松本 翼2、德田 規夫2、長 康雄1 (1.東北大、2.金沢大)
キーワード：
ダイヤモンド,走査型非線形誘電率顕微鏡,SNDM
OH終端ダイヤモンド(111)表面にAl2O3膜をALDにより堆積することで，高品質なMOS界面が実現され，反転層型MOSFETのノーマリオフ動作が実証されている．しかしながら，得られるチャネル移動度は期待される値に比較して低く，界面品質のさらなる改善が重要な課題である．そこで，本報告ではAl2O3/OH-ダイヤモンド(111)の界面品質を時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡（時間分解SNDM）を用いてナノスケールで評価した結果を述べる．