講演情報
[21p-C402-16]縦型高周波ダイヤモンドMOSFETsにおけるソース・ドレイン電極位置の交換による電流密度向上
〇(B)高野 優希1、浅井 風雅1、長 幸宏1、太田 康介1,2、高橋 輝1、平岩 篤1、藤嶌 辰也2、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.(株) Power Diamond Systems、3.早大材研)
キーワード：
ダイヤモンド,縦型高周波MOSFET
本研究では，縦型高周波ダイヤモンドMOSFETsの測定時に電極に印加する電圧を変えることで、実質的にソース電極とドレイン電極の位置を交換して電流電圧特性の変化を調べた。基板表面のソース電極及び基板と接するドレイン電極から電極位置を交換すると最大電流密度が約6.4倍に向上した。これは，ソース電極に近いトレンチ底部のリグロウン層の反転層が厚くなりドリフト抵抗が小さくなることで，正孔が効率的に注入されためである。