[21p-C402-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

14:30 〜 14:45

[21p-C402-5] B注入IIa型CVDダイヤモンドの電気特性への活性化アニール時間の影響

〇関 裕平¹、倉島 凛太郎¹、吉原 実奈美¹、星野 靖¹ (1.神奈川大理)

キーワード：

イオン注入,Hall効果,ダイヤモンド半導体