[21p-C402-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

14:45 〜 15:00

[21p-C402-6] 高純度ダイヤモンドへの低濃度Bイオン注入によるp型電気伝導層形成

〇(M2)吉原 実奈美¹、関 裕平¹、星野 靖¹ (1.神奈川大理)

キーワード：

イオン注入,Hall効果,ダイヤモンド半導体