講演情報
[21p-D903-10]フッ化物基板上のエピタキシャルCuI薄膜における格子整合の影響
〇(M1)米虫 遼太郎1、中村 優男2、安波 貴広1、十倉 好紀1,2,3、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東京カレッジ)
キーワード：
ワイドギャップ半導体,ヨウ化物,移動度
CuIは優れたp型伝導を示すワイドギャップ半導体である。前回の講演会で、熱膨張の整合性が良いCaF2を基板に用いることで、CuI薄膜の伝導特性が格段に向上することを報告した。しかしCaF2はCuIに対して格子不整合が大きい点が結晶性の向上を制限する要因となっていた。本研究ではCaF2と同じ蛍石構造で、格子不整合がより小さいSrF2とBaF2基板上にMBE法でCuI薄膜を作製し、格子整合性が薄膜の結晶性や伝導特性に与える影響を調べた。