セッション詳細
[21p-D903-1~16]6.4 薄膜新材料
2023年9月21日(木) 13:30 〜 18:30
D903 (TKP)
西川 博昭(近畿大)、 相馬 拓人(東工大)、 川口 昂彦 (静岡大)
[21p-D903-6]界面磁気結合を利用したPd/Ni薄膜ヘテロ構造の磁気特性制御
〇(M1)筒井 健三郎1、小野 広喜1、山本 航平3、石山 修3、横山 利彦3、水口 将輝1,2、宮町 俊生1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.分子研)
[21p-D903-7]TbFeCoの磁気特性に対する局在表面プラズモン共鳴による増強電場の影響
〇(M1)花島 颯介1、山根 治起2、高橋 龍之介3、中田 勝3、和達 大樹3、安川 雪子1 (1.千葉工大、2.秋田産技センター、3.兵庫県立大)
[21p-D903-8]GaN(001)上へ成長させたCuIエピタキシャル薄膜
〇小林 海斗1、豊田 真秀1、小川 航輝1、齋藤 明紀1、村田 秀信2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.大阪公立大)
[21p-D903-9]分子線エピタキシー法により合成した La2O2Sb エピタキシャル薄膜の電気伝導
〇山本 裕貴1、Major Marton2、河底 秀幸1、福村 知昭1,3、Alff Lambert2 (1.東北大院理、2.TU-Darmstadt、3.東北大WPI-AIMR&CSIS)
[21p-D903-10]フッ化物基板上のエピタキシャルCuI薄膜における格子整合の影響
〇(M1)米虫 遼太郎1、中村 優男2、安波 貴広1、十倉 好紀1,2,3、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東京カレッジ)
[21p-D903-11]鉄酸ビスマス薄膜のトポケミカルフッ化反応における温度依存性
〇佐野 瑞歩1、上垣外 明子1、片山 司2、廣瀬 靖3、近松 彰1 (1.お茶大理、2.北大電子研、3.都立大理)
[21p-D903-12]圧力誘起相転移を利用した高圧相岩塩型MgSnN2薄膜の作製
〇牧内 楓1、川村 史朗2、矢田 舜一郎1、ソン イェリン2、反保 衆志3、村田 秀信4、賈 軍軍5、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.物材機構、3.産総研、4.大阪公立大、5.早大国際理工)
[21p-D903-14]複合成膜手法により作製されたTiO2薄膜の親水性の評価
〇(M2)遠藤 孝祐1、佐々木 康詩郎1、室谷 裕志1、松平 学幸2 (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)
[21p-D903-15]Determining the in-plane crystal arrangement of VO2 film on CVD-grown hBN sheet using transmission electron microscopy
〇(D)Boyuan Yu1, Shingo Genchi1, Haobo Li1,2, Azusa N. Hattori1,2, Satoru Fukamachi3, Hiroki Ago3, Hidekazu Tanaka3 (1.SANKEN, Osaka Uni, 2.IOTRI, Osaka Uni, 3.GIC, Kyushu Uni)
[21p-D903-16]ケミカルリフトオフを用いたルチル型Sn1-xGexO2単結晶自立薄膜の合成
〇小幡 知仁1、陳 昊1、長島 陽2、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理、2.東大院理)