講演情報
[21p-P01-8]RF 低圧テトラエトキシシランプラズマにおける基板への入射ラジカル種および正イオン種の計測
〇奈良 歳三1、滝口 達也1、浅野 佑斗1、小田 昭紀1 (1.千葉工大)
キーワード：
プラズマ,質量分析
半導体で使われる二酸化ケイ素膜の膜堆積においてプラズマ支援化学気相成長法が使われていて，その原料ガスはTetraethoxysilane(以下TEOS)ガスが使用されている。しかし，TEOSプラズマを用いた成膜法ではTEOSプラズマの基礎特性に着目した報告例が少ないため，本研究では様々な不活性ガスで希釈されたTEOSプラズマから基板に入射する粒子種を質量分析より計測した。その計測結果を報告する。