講演情報
[21p-P02-5]斜入射反応性スパッタリング法による酸化銅薄膜の作製
〇坂本 大和1、及川 大地1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大院工、2.関東学院大学)
キーワード：
離散的柱状構造,斜入射堆積,酸化銅
本研究では，RFマグネトロンスパッタリング装置を用いて，p型半導体特性を示すことが報告されている酸化銅薄膜を作製し，AiEC現象が起こるか調査することを目的とした．
作製したGLAD膜およびNormal膜のいずれの試料においても，CuOの回析ピークが検出し，カソード分極時に透過率が上昇し，アノード分極時に透過率が低下するAiEC現象を示した．GLAD膜はNormal膜より色変化幅が大幅に増加した．
作製したGLAD膜およびNormal膜のいずれの試料においても，CuOの回析ピークが検出し，カソード分極時に透過率が上昇し，アノード分極時に透過率が低下するAiEC現象を示した．GLAD膜はNormal膜より色変化幅が大幅に増加した．