講演情報
[21p-P02-6]斜入射スパッタリング法による離散的柱状構造を有する酸化スズ薄膜の形成
〇亀田 悠真1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大院工、2.関東学院大材料表面研)
キーワード：
スパッタリング法,酸化スズ,斜入射堆積法
SnO2はガスセンサー材料としてよく利用されている．本研究では，ターゲットに対して基板を斜めに設置して成膜を行う斜入射堆積法を適用したスパッタリング法を用い，成膜時に基板を加熱することで，離散的柱状構造を有するSnO2薄膜の作製を目的とした．成膜時の圧力を2.0 Paまたは10.0 Paに調整し，成膜中，ランプヒーターを用いて基板温度を制御した．2.0 Pa-300℃の成膜条件で作製した試料において，離散的柱状構造を確認することができた．