講演情報
[21p-P05-5]光学測定に基づく低温成長InyGa1-yAs1-xBixのバンド端ゆらぎの解析
〇荒川 竜芳1、梅西 達哉1、齋藤 聖哉1、香西 優作1、富永 依里子1、行宗 詳規2、石川 史太郎3 (1.広大先進理工、2.愛媛大理工、3.北大量子集積)
キーワード：
Bi系III-V族半導体半金属混晶,低温成長,光吸収測定
本研究は，250℃で成長したInyGa1-yAs1-xBix試料にて光吸収測定をし，バンド端ゆらぎの解析を行った．バンド端が揺らぐ原因であるバンドギャップゆらぎ (σ)，と静電ポテンシャルゆらぎ (γ) を比較し，前者の方がゆらぎの振幅が大きいことが示された．また，Bi組成が同程度のGaAs1-xBix試料と比較するとσ，γ共にInyGa1-yAs1-xBix試料の方が小さいことが示された．