セッション詳細
[21p-P05-1~10]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:30
P05 (熊本城ホール)
[21p-P05-1]Effect of Low As Flux Annealing to the 2D-3D Transition of SML Nanostructures
〇(PC)Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[21p-P05-2]水分量計測応用を目指した1.4-µm帯発光二層積層InAs量子ドット
〇奥野 光基1、横田 起季1、ハドソン 勇気 カール1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
[21p-P05-3]GaAsスペーサー層の成長中断を設けた多層InGaAs量子ドットの円偏光発光特性
〇近藤 直1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
[21p-P05-4]ガリウム酸化膜を利用して形成されるナノピットのサイズ制御(2)
〇(M2)小野 玄樹1、飯塚 完司1 (1.日工大)
[21p-P05-5]光学測定に基づく低温成長InyGa1-yAs1-xBixのバンド端ゆらぎの解析
〇荒川 竜芳1、梅西 達哉1、齋藤 聖哉1、香西 優作1、富永 依里子1、行宗 詳規2、石川 史太郎3 (1.広大先進理工、2.愛媛大理工、3.北大量子集積)
[21p-P05-6]ゲルマニウム・GaAs基板上に分子線エピタキシ成長したInSb膜のフォトルミネッセンス測定
〇牛頭 信一郎1 (1.産総研)
[21p-P05-7]有効質量近似を用いた数値計算による 積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー
〇小野田 悠人1、亀岡 俊貴1、桑原 笑明1、三田 泰継1、藤代 博記1、遠藤 聡1 (1.東理大先進工)
[21p-P05-8]LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価
〇三田 泰継1、小関 敬祐1、桑原 笑明1、小野田 悠人1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工)
[21p-P05-9]DCスパッタ法によるInSb1-xNx薄膜の成長条件の検討
〇藤川 紗千恵1、矢口 裕之1 (1.埼玉大学院理工)
[21p-P05-10]ダイヤモンド基板上へのGaAs MBE成長
〇(M1C)木内 翔也1、大島 龍司1、飯塚 完司1 (1.日工大)