[21p-P05-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-P05-8] LT-InSbを用いたGaAs基板上InAs_xSb_1-x薄膜成長と評価

〇三田 泰継¹、小関 敬祐¹、桑原 笑明¹、小野田 悠人¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

半導体,薄膜成長

ナローギャップ半導体のInAs_xSb_1-xはAs組成比x = 0.35近傍で最も小さいバンドギャップ を示し、小さい電子有効質量に起因する高い電子移動度μにより高周波・極低消費電力デバイスのチャネル材料として期待されている。以前我々は低温成長 (LT-) InSbを緩衝層に用いることで、GaAs基板上に成長したInSb薄膜の結晶性が向上することを報告した。本研究ではLT-InSbを緩衝層に用いてGaAs基板上にInAs_xSb_1-x薄膜を成長し、組成制御の検討と結晶性・電気的特性の評価を行った。