[21p-P05-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-P05-9] DCスパッタ法によるInSb_1-xN_x薄膜の成長条件の検討

〇藤川 紗千恵¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大学院理工)

キーワード：

スパッタリング,XRD,窒化インジウムアンチモン