講演情報
[21p-P06-1]UHVスパッタエピタキシー法による立方晶GaN層の成長
〇永山 陸1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化ガリウム,スパッタリング,立方晶GaN
我々は，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてGaN系半導体のエピタキシャル成長を行っている．これまで，α-Al2O3基板上に直接成長したGaN層について，N2/Ar反応ガスの混合比または基板温度を変化させた場合の結晶構造について検討を行ってきた．その結果，成長条件によっては立方晶系のGaN層が成長することが解った． 今回は，GaN層の成長において，立方晶基板を用いた際の結晶性について検討を行ったので報告する．