セッション詳細

[21p-P06-1~14]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:30
P06 (熊本城ホール)

[21p-P06-1]UHVスパッタエピタキシー法による立方晶GaN層の成長

〇永山 陸1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[21p-P06-2]減圧CVD法で作製した六方晶窒化ホウ素薄膜のポストアニール

〇大石 泰己1、青池 琉希1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.大学院光医工学研究科、3.静岡大電研)

[21p-P06-3]a面サファイア上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD

〇太田 颯真1、大石 泰己1、青池 琉希1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.光医工研、3.電子工研)

[21p-P06-4]エピタキシャルAlN膜上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD

〇青池 琉希1、大石 泰己1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子研)

[21p-P06-5]Bイオン注入およびGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製

〇奥井 歩夢1、西垣 尚太朗1、西川 敦2、Alexander Loesing2、白井 雅紀3、小林 宏樹3、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS、3.アルバック)

[21p-P06-6](0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

〇道上 平士郎1、市川 修平1,2、松田 祥伸3、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)

[21p-P06-7]c面活性層ナノコラムの貫通転位発生のメカニズム

〇赤坂 康一郎1、石沢 峻介1、両角 浩一1、宮澤 弘1、赤塚 泰斗1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

[21p-P06-8]半極性面GaInN活性層を有する赤色発光ナノコラムの構造評価

〇赤塚 泰斗1、掛村 康人1、山田 純平2、両角 浩一1、石沢 峻介1、赤坂 康一郎1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

[21p-P06-9]2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaN の電気伝導特性解析

〇神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-10]AlGaN/GaNリセス構造の高温電気特性評価

〇木村 充晃1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-11]表面パッシベーション用SiN膜の絶縁性制御

〇鳥井 理玖1、村山 悠稀1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、木村 充晃1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-12]光熱偏向分光法による窒化物系混晶半導体薄膜の光・熱物性評価に関する理論的検討

〇野村 麻友1、野田 幸樹1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)

[21p-P06-13]岩塩構造AlScNのバンドアライメント

〇太田 優一1、井村 将隆2 (1.都産技研、2.物材機構)

[21p-P06-14]第一原理計算による窒化アルミニウム上での窒化ニオブの結晶成長初期段階の解明

〇(M2)中越 龍司1、小田 将人1 (1.和歌山大シス工)