セッション詳細
[21p-P06-2]減圧CVD法で作製した六方晶窒化ホウ素薄膜のポストアニール
〇大石 泰己1、青池 琉希1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.大学院光医工学研究科、3.静岡大電研)
[21p-P06-3]a面サファイア上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD
〇太田 颯真1、大石 泰己1、青池 琉希1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.光医工研、3.電子工研)
[21p-P06-4]エピタキシャルAlN膜上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD
〇青池 琉希1、大石 泰己1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子研)
[21p-P06-5]Bイオン注入およびGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製
〇奥井 歩夢1、西垣 尚太朗1、西川 敦2、Alexander Loesing2、白井 雅紀3、小林 宏樹3、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS、3.アルバック)
[21p-P06-6](0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果
〇道上 平士郎1、市川 修平1,2、松田 祥伸3、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)
[21p-P06-7]c面活性層ナノコラムの貫通転位発生のメカニズム
〇赤坂 康一郎1、石沢 峻介1、両角 浩一1、宮澤 弘1、赤塚 泰斗1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)
[21p-P06-8]半極性面GaInN活性層を有する赤色発光ナノコラムの構造評価
〇赤塚 泰斗1、掛村 康人1、山田 純平2、両角 浩一1、石沢 峻介1、赤坂 康一郎1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)
[21p-P06-10]AlGaN/GaNリセス構造の高温電気特性評価
〇木村 充晃1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[21p-P06-11]表面パッシベーション用SiN膜の絶縁性制御
〇鳥井 理玖1、村山 悠稀1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、木村 充晃1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)