セッション詳細

[21p-P06-1~14]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月21日(木) 13:30 〜 15:30
P06 (熊本城ホール)

[21p-P06-1]UHVスパッタエピタキシー法による立方晶GaN層の成長

〇永山 陸1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

[21p-P06-2]減圧CVD法で作製した六方晶窒化ホウ素薄膜のポストアニール

〇大石 泰己1、青池 琉希1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.大学院光医工学研究科、3.静岡大電研)

[21p-P06-3]a面サファイア上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD

〇太田 颯真1、大石 泰己1、青池 琉希1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.光医工研、3.電子工研)

[21p-P06-4]エピタキシャルAlN膜上への六方晶窒化ホウ素の減圧CVD

〇青池 琉希1、大石 泰己1、太田 颯真1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子研)

[21p-P06-5]Bイオン注入およびGaN:Geスパッタ膜を活用したマイクロLEDの作製

〇奥井 歩夢1、西垣 尚太朗1、西川 敦2、Alexander Loesing2、白井 雅紀3、小林 宏樹3、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS、3.アルバック)

[21p-P06-6](0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

〇道上 平士郎1、市川 修平1,2、松田 祥伸3、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)

[21p-P06-7]c面活性層ナノコラムの貫通転位発生のメカニズム

〇赤坂 康一郎1、石沢 峻介1、両角 浩一1、宮澤 弘1、赤塚 泰斗1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

[21p-P06-8]半極性面GaInN活性層を有する赤色発光ナノコラムの構造評価

〇赤塚 泰斗1、掛村 康人1、山田 純平2、両角 浩一1、石沢 峻介1、赤坂 康一郎1、野田 貴史1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

[21p-P06-9]2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaN の電気伝導特性解析

〇神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-10]AlGaN/GaNリセス構造の高温電気特性評価

〇木村 充晃1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-11]表面パッシベーション用SiN膜の絶縁性制御

〇鳥井 理玖1、村山 悠稀1、高橋 智秀1、鶴巻 綾1、木村 充晃1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[21p-P06-12]光熱偏向分光法による窒化物系混晶半導体薄膜の光・熱物性評価に関する理論的検討

〇野村 麻友1、野田 幸樹1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)

[21p-P06-13]岩塩構造AlScNのバンドアライメント

〇太田 優一1、井村 将隆2 (1.都産技研、2.物材機構)