[21p-P06-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-P06-6] (0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

〇道上 平士郎¹、市川 修平^1,2、松田 祥伸³、船戸 充³、川上 養一³、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)

キーワード：

InGaN,フォトダイオード,組成傾斜