2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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[21p-P06-6](0001)面InGaNフォトダイオードにおける組成傾斜層の光励起キャリア局在抑制効果

〇道上 平士郎1、市川 修平1,2、松田 祥伸3、船戸 充3、川上 養一3、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.京大院工)

キーワード：

InGaN,フォトダイオード,組成傾斜

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