[21p-P09-1~30] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-P09-12] 高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長

〇小川 広太郎¹、高坂 亘¹、日下 皓也¹、三富 俊希¹、山口 智広¹、本田 徹¹、太田 優一²、金子 健太郎³、藤田 静雄⁴、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.都産技研、3.立命館大、4.京都大)

キーワード：

酸化マグネシウム亜鉛,ミスト化学気相成長,真空紫外線

4.5~7.8 eVの広いバンドギャップをもつ岩塩構造(RS)酸化マグネシウム亜鉛(MgZnO)は、真空紫外線領域における新たな発光材料として期待される。これまでに、MgOモル分率x≥0.92のRS-Mg_xZn_1-xO 薄膜において、室温CL測定によって190 nm帯の発光観測に成功している。本発表では、190 nmより短い波長域の室温発光実現を狙い、更にMgOモル分率の大きなRS-Mg_xZn_1-xO(x≥0.95)のミストCVD成長を行った内容について報告する。